intel最牛逼的武器就是领先业界的半导体制造工艺,arm自然也希望能够趁着新工艺的东风前进,只不过必须仰仗其它伙伴的进度,比如台积电、三星。arm就相信,三星电子正在研发的14nm finfet工艺将会大大提高arm处理器的性能,并同时降低功耗。
arm物理ip部门战略客户营销主管ron moore近日表示:“arm的凯发k8官网的合作伙伴在设计soc的时候加入了动态电压和频率调节(dvfs),以便在需要的时候达到峰值性能,并在较低负载任务中提高能效。14nm finfet工艺更低的常规运行电压扩大了高低负载下的电压范围。在一套arm big.little处理系统中,我们可以在这一范围的上部获得更高性能,并在中部和下部获得更高能效。”
但是随着半导体技术复杂度的猛增,即便是intel也在前进之路上面临重重困难,arm阵营就更不好说了,arm自己对此也有清醒的认识。
ron moore就表示:“在如今的高性能低功耗soc上,伙伴们都使用自动eda流程来部署大量的节能技术,比如时钟栅极、电源栅极、多重vt电压、多重vdd电压、适应性调节等等,主要体现为dvfs或者适应性电压调节(avs)。在展望14nm finfet工艺上的arm技术时,我们需要确保能以这些技术或者其它方法获得足够高的能效。与此同时,我们也深刻地明白及早上市的压力,需要加速arm处理器的进步。”
arm今年早些时候曾保证说,更先进的制造工艺可以让arm架构处理器集成16个甚至32个通用核心,实现更高的性能和流畅的多任务处理,但难度可想而知。更何况,四核处理器在移动领域的实用性都还备受质疑,如此众多核心其实更适合去拓展服务器应用。
低功耗一向是arm引以为傲的地方,但随着性能的提升,功耗问题愈发凸显,比如说cortex-a15架构就面临严重阻碍,28nm下四个核心放在一起简直就是“电老虎”,只能期待20nm去缓解。另一方面,intel x86的功耗控制却是愈发得心应手,22nm、14nm会相继到来,以相同甚至更低的功耗跑赢arm希望非常大。